Revisi per 18 Januari 2012 04.55 sunting ArdBot (bicara \| kontrib) Bot, Pengecualian blokir IP 25.295 suntingan k Bot: Penggantian teks otomatis (-dioda +diode) ← Revisi sebelumnya		Revisi per 18 Januari 2012 07.11 sunting balikkan ArdBot (bicara \| kontrib) Bot, Pengecualian blokir IP 25.295 suntingan k Bot: Penggantian teks otomatis (-pertemuan dwikutub +sambungan dwikutub) Revisi selanjutnya →
Baris 7: == Peranti-peranti == Sebuah peranti yang menggunakan pertemuan menyearahkan logam-semikonduktor itu sendiri dinamakan sebagai [[diode Schottky]]. Sebuah transistor ~~pertemuan~~sambungan dwikutub dengan penghalang Schottky di antara basis dan kolektor disebut dengan [[transistor Schottky]]. Karena tegangan pertemuan penghalang Schottky sangat rendah, transistor dicegah untuk jenuh terlalu dalam, sehingga memperbaiki kecepatan transistor jika digunakan sebagai sakelar. Ini adalah dasar dari TTL Schottky. Sebuah [[MESFET]], atau FET logam-semikonduktor, adalah peranti dengan operasi yang mirip [[JFET]], tetapi menggunakan sebuah penghalang Schottky yang dipanjar mundur untuk membentuk daerah pemiskinan. Varian dari peranti ini adalah [[HEMT]], atau transistor pergerakan elektron tinggi, yang juhan menggunakan pertemuan campur untuk mendapatkan konduktansi tinggi.

Sawar Schottky: Perbedaan antara revisi