Transistor sambungan dwikutub: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k Bot: Penggantian teks otomatis (-anoda +anode) |
k Bot: Penggantian teks otomatis (-elektroda +elektrode) |
||
Baris 63:
{{cite book |author=D.V. Morgan, Robin H. Williams (Editors)|title=Physics and Technology of Heterojunction Devices|year=1991|publisher=Institution of Electrical Engineers (Peter Peregrinus Ltd.)|location=London |isbn=0863412041 |url=http://books.google.com/books?id=C98iH7UDtzwC&pg=PA210&dq=%22SIGe+heterojunction%22&as_brr=0&sig=6keqSOzQVPjnGn3Ism4CuhX7NHQ#PPA201,M1}}</ref><ref name=Ashburn>{{cite book|author=Peter Ashburn|title=SiGe Heterojunction Bipolar Transistors|year=2003|pages=Chapter 10|publisher=Wiley|location=New York|isbn=0470848383|url=http://worldcat.org/isbn/0470848383|nopp=true}}</ref>
Transistor pertemuan-taksejenis mempunyai semikonduktor yang berbeda untuk tiap unsur dalam transistor. Biasanya emitor dibuat dari bahan yang memiliki celah-jalur lebih besar dari basis. Ilustrasi menunjukkan perbedaan celah-jalur memungkinkan penghalang lubang untuk menginjeksikan lubang kembali ke basis (diperlihatkan sebagai Δφ<sub>p</sub>), dan penghalang elektron untuk menginjeksikan ke basis (Δφ<sub>n</sub>). Susunan penghalang ini membantu mengurangi injeksi pembawa minoritas dari basis ketika pertemuan emitor-basis dipanjar terbalik, dan dengan demikian mengupansi arus basis dan menaikkan efisiensi injeksi emitor.
Injeksi pembawa menuju ke basis yang telah diperbaiki memungkinkan basis untuk dikotori lebih berat, menghasilkan resistansi yang lebih rendah untuk mengakses
Pembedaan tingkat komposisi dalam basis, misalnya dengan menaikkan jumlah germanium secara progresif pada transistor [[SiGe]], menyebabkan gradien dalam celah-jalur di basis netral (ditunjukkan sebagai Δφ<sub>G</sub>), memberikan medan terpatri di dalam yang membantu pengangkutan elektron melewati basis. Komponen alir tersebut membantu pengangkutan sebaran normal, menaikkan respons frekuensi transistor dengan memperpendek waktu pemindahan melewati basis.
Dua HBT yang paling sering digunakan adalah silikon-germanium dan aluminium arsenid, tetapi jenis semikonduktor lain juga bisa digunakan untuk struktur HBT. Struktur HBT biasanya dibuat dengan teknik [[epitaksi]], seperti [[epitaksi fasa uap logam-organik]] dan [[epitaksi sinar molekuler]].
| |||