Transistor efek–medan: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k bot Menambah: it:Transistor ad effetto di campo |
k bot Menambah: vi:Field-effect transistor; kosmetik perubahan |
||
Baris 30:
Kanal pada FET telah didoping untuk membuat baik [[semikonduktor tipe-n]] maupun [[semikonduktor tipe-p]]. Pada FET moda pengayaan, cerat dan sumber dibuat berbeda tipe dengan kanal, sedangkan pada FET moda pemiskinan dibuat setipe dengan kanal. FET juga dibeda-bedakan berdasarkan metoda pengisolasian diantara gerbang dan kanal.
Jenis-jenis dari FET adalah:
* '''[[MOSFET]]''' (''Metal–Oxide–Semiconductor FET'', FET [[Semikonduktor]]–[[Oksida]]–[[Logam]]) menggunakan [[isolator]] (biasanya [[silikon dioksida|SiO<sub>2</sub>]]) diantara gerbang dan badan.
* '''[[JFET]]''' (''Junction FET'', FET Pertemuan) menggunakan [[pertemuan p-n]] yang di[[panjar]] terbalik untuk memisahkan gerbang dari badan.
* '''[[MESFET]]''' (''Metal–Semiconductor FET'', FET Semikonduktor–Logam) menggantikan pertemuan p-n pada [[JFET]] dengan [[penghalang Schottky]], digunakan pada GaAs dan bahan [[semikonduktor]] lainnya.
* '''[[HEMT]]''' (''High Electron Mobility Transistor'', Transistor Pergerakan [[Elektron]] Tinggi), juga disebut HFET (''heterostructure FET'', FET Struktur Campur). Material celah-jalur-lebar yang dikurangi penuh membentuk isolasi antara gerbang dan badan.
* '''[[IGBT]]''' (''Insulated-Gate Bipolar Transistor'', Transistor Dwikutub Gerbang-Terisolasi) adalah peranti untuk pengendali daya tinggi. Ini mempunyai struktur mirip sebuah [[MOSFET]] yang digandengkan dengan kanal konduksi utama yang mirip [[transistor dwikutub]]. Ini sering digunakan pada tegangan operasi cerat-ke-sumber antara 200-3000 V. [[MOSFET daya]] masih merupakan peranti pilihan utama untuk tegangan cerat-ke-sumber antara 1-200 V.
* '''[[FREDFET]]''' (''Fast Reverse/Recovery Epitaxial Diode FET'', FET [[Dioda Epitaksial]] Cepat Balik/Pulih) adalah sebuah FET yang didesain khusus untuk memberikan kecepatan pemulihan (pematian) yang sangat cepat dari dioda badan.
* '''[[ISFET]]''' (''Ion-Sensitive FET'', FET Sensitif-Ion) digunakan untuk mengukur konsentrasi [[ion]] pada larutan, ketika konsentrasi ion (seperti [[pH]]) berubah, arus yang mengalir melalui transistor juga berubah.
* '''[[DNAFET]]''' adalah FET khusus yang berfungsi sebagai sebuah [[biosensor]], dengan menggunakan gerbang yang dibuat dari [[molekul]] salah satu helai [[DNA]] untuk mendeteksi helaian DNA yang cocok.
== Penggunaan ==
Baris 47:
== Lihat pula ==
* [[MOSFET]]
* [[CMOS]]
== Pranala luar ==
{{Commonscat|Field-effect Transistors}}
* [http://www.pbs.org/transistor/science/info/transmodern.html PBS The Field Effect Transistor]
* [http://www.onr.navy.mil/sci%5Ftech/31/312/ncsr/devices/jfet.asp Junction Field Effect Transistor]
* [http://www.play-hookey.com/semiconductors/enhancement_mode_mosfet.html The Enhancement Mode MOSFET]
* [http://www.allaboutcircuits.com/vol_4/chpt_3/7.html CMOS gate circuitry]
* [http://www.analog.com/library/analogDialogue/archives/35-05/latchup/ Winning the Battle Against Latchup in CMOS Analog Switches]
* [http://www.research.ibm.com/nanoscience/fet.html Nanotube FETs at IBM Research]
* [http://www.freescale.com/files/rf_if/doc/app_note/AN211A.pdf Field Effect Transistors in Theory and Practice]
{{Transistor}}
Baris 94:
[[ta:மின்புல விளைவுத் திரிதடையம்]]
[[uk:Польовий транзистор]]
[[vi:Field-effect transistor]]
[[zh:场效应管]]
| |||