CMOS: Perbedaan antara revisi

Konten dihapus Konten ditambahkan
Borgx (bicara | kontrib)
kTidak ada ringkasan suntingan
Borgxbot (bicara | kontrib)
k Robot: Cosmetic changes
Baris 1:
[[ImageBerkas:CMOS Inverter.svg|thumb|right|Inverter CMOS statis ]]
'''Complementary metal–oxide–semiconductor''' ('''CMOS''') atau semikonduktor–oksida–logam komplementer, adalah sebuah jenis utama dari rangkaian terintegrasi. Teknologi CMOS digunakan di mikroprosesor, pengontrol mikro, RAM statis, dan sirkuit logika digital lainnya. Teknologi CMOS juga digunakan dalam banyak sirkuit analog, seperti sensor gambar, pengubah data, dan trimancar terintegrasi untuk berbagai jenis komunikasi. [[Frank Wanlass]] berhasil mematenkan CMOS pada tahun 1967 (US Patent 3,356,858).
 
CMOS juga sering disebut ''complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor or COSMOS'' (semikonduktor–logam–oksida komplementer-simetris).
Kata komplementer-simetris merujuk pada kenyataan bahwa biasanya desain digital berbasis CMOS menggunakan pasangan komplementer dan simetris dari MOSFET semikonduktor tipe-p dan semikonduktor tipe-n untuk fungsi logika.
 
Dua karakter penting dari CMOS adalah kekebalan desahnya yang tinggi dan penggunaan daya statis yang rendah. Daya hanya diambil saat transistor dalam CMOS berpindah diantara kondisi hidup dan mati. Akibatnya, peranti CMOS tidak menimbulkan bahang sebanyak sirkuit logika lainnya, seperti logika transistor-transistor (TTL) atau logika NMOS, yang hanya menggunakan peranti tipe-n tanpa tipe-p. CMOS juga memungkinkan chip logika dengan kepadatan tinggi dibuat.
Baris 21:
===Pembalikan===
 
[[ImageBerkas:CMOS Inverter.svg|thumb|right|Pembalik CMOS statis]]
Sirkuit CMOS didesain sedemikian rupa sehingga semua transistor PMOS harus mempunyai masukan dari sumber tegangan ataupun dari transistor PMOS lainnya. Sama dengan hal itu, semua transistor NMOS harus mempunyai masukan dari ground atau transistor NMOS lainnya. Komposisi dari transistor PMOS menimbulkan resistansi rendah ketika tegangan rendah dikenakan padanya, dan resistansi tinggi ketika tegangan tinggi dikenakan padanya. Di lain pihak, komposisi dari transistor NMOS mengakibatkan resistansi tinggi ketika tegangan rendah dikenakan padanya, dan resistansi rendah ketika tegangan tinggi dikenakan padanya.
 
Gambar di kiri menunjukkan apa yang terjadi jika sebuah masukkan disambungkan ke transistor PMOS dan transistor NMOS. Ketika tegangan masukan A rendah, transistor NMOS mempunyai resistansi tinggi sehingga mencegah tegangan untuk bocor ke ground, sedangkan transistor PMOS mempunyai resistansi rendah sehingga memungkinkan sumber tegangan untuk memindahkan tegangan menuju ke keluaran melalui transistor PMOS. Keluaran seharusnya menunjukkan tegangan tinggi (logika 1).
 
Di lain pihak, ketika tegangan di masukan A tinggi, transistor PMOS akan memiliki resistansi tinggi sehingga menghalangi sumber tegangan dari keluaran, sedangkan transistor NMOS mempunyai resistansi rendah yang memungkinkan keluaran untuk membuang ke ground. Ini akan menyebabkan keluaran menunjukkan tegangan rendah (logika 0). Singkatnya, keluaran transistor PMOS dan NMOS selalu komplementer. Karenanya, keluaran sirkuit CMOS pada dasarnya adalah pembalikan dari masukan.
Baris 33:
 
===Logika===
[[ImageBerkas:CMOS NAND.svg|right|thumb|125px|Gerbang [[NAND]] pada logika CMOS]]
 
Fungsi logika yang lebih kompleks seperti AND dan OR memerlukan manipulasi jalur diantara gerbang untuk membuat logika. Ketika sebuah jalur yang terdiri dari dua transistor seri, lalu semua transistor hapus mempunyai resistansi rendah untuk membiarkan tegangan melewatinya, menunjukkan sebuah gerbang AND. Ketika sebuah jalur terdiri dari dua transistor paralel, lalu salah satu transistor harus mempunyai resistansi rendah untuk membiarkan tegangan melewatinya, menunjukkan gerbang OR.
Baris 81:
 
{{Gerbang logika}}
 
[[Kategori:Elektronika digital]]
[[Kategori:Sirkuit terpadu]]
 
[[ar:سيموس]]
[[bs:CMOS]]
[[bg:CMOS]]
[[bs:CMOS]]
[[ca:CMOS]]
[[cs:CMOS]]
[[de:Complementary Metal Oxide Semiconductor]]
[[eten:CMOS]]
[[es:Tecnología CMOS]]
[[enet:CMOS]]
[[fa:سیماس]]
[[fi:CMOS]]
[[fr:Complementary metal oxide semi-conductor]]
[[he:CMOS]]
[[ko:상보성 금속 산화막 반도체]]
[[hr:CMOS]]
[[en:CMOS]]
[[it:CMOS]]
[[he:CMOS]]
[[nl:CMOS]]
[[ja:CMOS]]
[[ko:상보성 금속 산화막 반도체]]
[[no:CMOS]]
[[nl:CMOS]]
[[nn:CMOS]]
[[no:CMOS]]
[[pl:CMOS]]
[[pt:CMOS]]
Baris 108 ⟶ 110:
[[sk:Complementary Metal Oxide Semiconductor]]
[[sr:CMOS]]
[[fi:CMOS]]
[[sv:CMOS]]
[[vi:CMOS]]
[[tr:CMOS]]
[[uk:КМОН]]
[[ur:تکمیلی فلزی اکسید نیم موصل (تفانم)]]
[[vi:CMOS]]
[[zh:CMOS]]