Transistor sambungan dwikutub: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
Baris 75:
Walaupun daerah-daerah tersebut didefinisikan dengan baik untuk tegangan yang cukup besar, mereka bertumpang tindih jika tegangan panjar yang dikenakan terlalu kecil (kurang dari beberapa ratus milivolt).
===Transistor
[[Image:npn-structure.png|thumb|left|Transistor BJT NPN dalam moda aktif-maju]]
Diagram disamping menunjukkan transistor NPN disambungkan ke dua sumber tegangan. Untuk membuat transistor menghantar arus yang kentara dari C ke E, <math>V_{\text{BE}}</math> harus diatas harga minimum yang sering disebut sebagai ''tegangan potong''. Tegangan potong biasanya kira-kira 600 mV untuk BJT silikon pada suhu ruang, tetapi ini juga bisa berbeda-beda bergantung pada tipe transistor dan teknik pemanjaran.
Tegangan yang dikenakan ini membuat pertemuan P-N bagian bawah berubah menjadi hidup dan memungkinkan aliran elektron dari emitor ke basis. Pada moda aktif, medan listrik yang terdapat diantara basis dan kolektor (disebabkan oleh <math>V_{\text{CE}}</math>) akan menyebabkan mayoritas elektron untuk melintasi pertemuan P-N bagian atas menuju ke kolektor untuk membentuk arus kolektor <math>I_{\text{C}}</math>. Elektron yang tertinggal bergabung kembali dengan lubang yang merupakan pembawa mayoritas pada basis sehingga menimbulkan arus melalui sambungan basis untuk membentuk arus basis, <math>I_{\text{B}}</math>. Seperti yang diperlihatkan pada diagram, arus emitor <math>I_{\text{E}}</math>, adalah arus transistor total, yang merupakan penjumlahan arus saluran lainnya <math>(I_{\text{E}} = I_{\text{B}} + I_{\text{C}})</math>.
Pada diagram, tanda panah menunjukkan arah dari arus konvensional, aliran elektron mengalir berlawanan dengan tanda panah. Pada moda aktif, perbandingan dari arus kolektor-ke-basis dengan arus basis disebut dengan ''penguatan arus DC''. Pada perhitungan, harga dari penguatan arus DC disebut dengan <math>h_{\text{FE}}</math>, dan harga penguatan arus AC disebut dengan <math>h_{\text{fe}}</math>. Walaupun begitu, ketika cakupan frekuensi tidak diperhitungkan, simbol <math>\beta</math> sering digunakan.
Perlu diperhatikan bahwa arus emitor berhubungan dengan <math>V_{\text{BE}}</math> secara eksponensial. Pada suhu ruang, peningkatan <math>V_{\text{BE}}</math> sebesar kurang-lebih 60 mV meningkatkan arus emitor dengan faktor 10 kali lipat. Kerena arus basis kurang lebih sebanding dengan arus kolektor dan emitor, ini juga berubah dengan fungsi yang sama.
Untuk transistor PNP, secara umum cara kerjanya adalah sama, kecuali polaritas tegangan panjar yang dibalik dan fakta bahwa pembawa muatan mayoritas adalah lubang elektron.
[[Image:pnp-structure.png|thumb|left|Transistor PNP dalam moda aktif-maju]]
===Transistor PNP moda aktif===
| |||