Transistor sambungan dwikutub: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k Rapikan |
|||
Baris 65:
Dua HBT yang paling sering digunakan adalah silikon-germanium dan aluminium arsenid, tetapi jenis semikonduktor lain juga bisa digunakan untuk struktur HBT. Struktur HBT biasanya dibuat dengan teknik [[epitaksi]], seperti [[epitaksi fasa uap logam-organik]] dan [[epitaksi sinar molekuler]].
==Daerah operasi==
[[Berkas:Transistor BJT puissance.png|thumb|Batas operasi aman transistor, biru: batas I<sub>C</sub> maksimum, merah: batas V<sub>CE</sub> maksimum, ungu: batas daya maksimum]]
Transistor dwikutub mempunyai lima daerah operasi yang berbeda, terutama dibedakan oleh panjar yang diberikan:
*'''Aktif-maju''' (atau '''aktif''' saja): pertemuan emitor-basis dipanja maju dan pertemuan basis-kolektor dipanjar mundur. Hampir semua transistor didesain untuk mencapai penguatan arus tunggal emitor yang terbesar (<math>\beta_F</math>) dalam moda aktif-maju. in forward-active mode. Dalam keadaan ini arus kolektor-emitor beberapa kali lipat lebih besar dari arus basis.
| |||