Transistor efek–medan: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k Bot: +kategori Kategori:Tipe transistor berdasarkan en:Field-effect transistor |
|||
Baris 56:
*[http://www.research.ibm.com/nanoscience/fet.html Nanotube FETs at IBM Research]
*[http://www.freescale.com/files/rf_if/doc/app_note/AN211A.pdf Field Effect Transistors in Theory and Practice]
[[
[[Kategori:Elektronika]]
[[Kategori:Tipe transistor]]
[[ar:مقحل حقلي]]
[[be:Палявы транзістар]]
Baris 67 ⟶ 70:
[[de:Feldeffekttransistor]]
[[en:Field-effect transistor]]
[[et:Väljatransistor]]▼
[[es:Transistor de efecto campo]]
▲[[et:Väljatransistor]]
[[fa:ترانزیستور اثر میدان]]
[[fi:Kanavatransistori]]▼
[[fr:Transistor à effet de champ]]
[[ja:電界効果トランジスタ]]▼
[[ko:전계효과 트랜지스터]]
[[lv:Lauktranzistors]]▼
[[lt:Lauko tranzistorius]]
▲[[lv:Lauktranzistors]]
[[mk:Транзистор со ефект на поле]]
[[nl:Veldeffecttransistor]]
▲[[ja:電界効果トランジスタ]]
[[pl:Tranzystor polowy]]
[[pt:Transistor de efeito de campo]]
[[ru:Полевой транзистор]]
[[stq:Fäild-Effekt-Transistore]]▼
[[sl:Tranzistor na poljski pojav]]
▲[[stq:Fäild-Effekt-Transistore]]
▲[[fi:Kanavatransistori]]
[[sv:Fälteffekttransistor]]
[[uk:Польовий транзистор]]
|