Semikonduktor: Perbedaan antara revisi

Konten dihapus Konten ditambahkan
Addbot (bicara | kontrib)
k Bot: Migrasi 78 pranala interwiki, karena telah disediakan oleh Wikidata pada item d:q11456
Baris 12:
[[Doping]] sejumlah besar ke semikonduktor dapat meningkatkan [[konduktivitas]]nya dengan faktor lebih besar dari satu [[milyar]].{{fact}} Dalam [[sirkuit terpadu]] modern, misalnya, [[polycrystalline silicon]] didop-berat seringkali digunakan sebagai pengganti [[logam]].
 
== Persiapan bahan semikonduktor ==oleh zulfazli bin zubir
 
Semikonduktor dengan properti elektronik yang dapat diprediksi dan handal diperlukan untuk [[produksi massa]]. Tingkat kemurnian kimia yang diperlukan sangat tinggi karena adanya ketidaksempurnaan, bahkan dalam proporsi sangat kecil dapat memiliki efek besar pada properti dari material. Kristal dengan tingkat kesempurnaan yang tinggi juga diperlukan, karena kesalahan dalam struktur kristal (seperti [[dislokasi]], [[kembaran]], dan [[retak tumpukan]]) mengganggu properti semikonduktivitas dari material. Retakan kristal merupakan penyebab utama rusaknya perangkat semikonduktor. Semakin besar kristal, semakin sulit mencapai kesempurnaan yang diperlukan. Proses produksi massa saat ini menggunakan [[ingot]] (bahan dasar) kristal dengan diameter antara empat hingga dua belas inci (300 mm) yang ditumbuhkan sebagai silinder kemudian diiris menjadi [[wafer]].