Transistor efek–medan: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k Bot: Penggantian teks otomatis (-elektroda +elektrode) |
k Bot: Penggantian teks otomatis (-dioda +diode) |
||
Baris 35:
* '''[[HEMT]]''' (''High Electron Mobility Transistor'', Transistor Pergerakan [[Elektron]] Tinggi), juga disebut HFET (''heterostructure FET'', FET Struktur Campur). Material celah-jalur-lebar yang dikurangi penuh membentuk isolasi antara gerbang dan badan.
* '''[[IGBT]]''' (''Insulated-Gate Bipolar Transistor'', Transistor Dwikutub Gerbang-Terisolasi) adalah peranti untuk pengendali daya tinggi. Ini mempunyai struktur mirip sebuah [[MOSFET]] yang digandengkan dengan kanal konduksi utama yang mirip [[transistor dwikutub]]. Ini sering digunakan pada tegangan operasi cerat-ke-sumber antara 200-3000 V. [[MOSFET daya]] masih merupakan peranti pilihan utama untuk tegangan cerat-ke-sumber antara 1-200 V.
* '''[[FREDFET]]''' (''Fast Reverse/Recovery Epitaxial Diode FET'', FET [[Dioda Epitaksial]] Cepat Balik/Pulih) adalah sebuah FET yang didesain khusus untuk memberikan kecepatan pemulihan (pematian) yang sangat cepat dari
* '''[[ISFET]]''' (''Ion-Sensitive FET'', FET Sensitif-Ion) digunakan untuk mengukur konsentrasi [[ion]] pada larutan, ketika konsentrasi ion (seperti [[pH]]) berubah, arus yang mengalir melalui transistor juga berubah.
* '''[[DNAFET]]''' adalah FET khusus yang berfungsi sebagai sebuah [[biosensor]], dengan menggunakan gerbang yang dibuat dari [[molekul]] salah satu helai [[DNA]] untuk mendeteksi helaian DNA yang cocok.
| |||