Sawar Schottky: Perbedaan antara revisi

Konten dihapus Konten ditambahkan
Kenrick95Bot (bicara | kontrib)
k Bot: perubahan kosmetika !
Kenrick95Bot (bicara | kontrib)
k Bot: Penggantian teks otomatis (-diantara +di antara)
Baris 7:
== Peranti-peranti ==
Sebuah peranti yang menggunakan pertemuan menyearahkan logam-semikonduktor itu sendiri dinamakan sebagai [[dioda Schottky]].
Sebuah transistor pertemuan dwikutub dengan penghalang Schottky diantaradi antara basis dan kolektor disebut dengan [[transistor Schottky]]. Karena tegangan pertemuan penghalang Schottky sangat rendah, transistor dicegah untuk jenuh terlalu dalam, sehingga memperbaiki kecepatan transistor jika digunakan sebagai sakelar. Ini adalah dasar dari TTL Schottky.
Sebuah [[MESFET]], atau FET logam-semikonduktor, adalah peranti dengan operasi yang mirip [[JFET]], tetapi menggunakan sebuah penghalang Schottky yang dipanjar mundur untuk membentuk daerah pemiskinan. Varian dari peranti ini adalah [[HEMT]], atau transistor pergerakan elektron tinggi, yang juhan menggunakan pertemuan campur untuk mendapatkan konduktansi tinggi.