Sawar Schottky: Perbedaan antara revisi

'''Penghalang Schottky''', dinamai dari penemunya [[Walter H. Schottky]], adalah sebuah penghalang potensial yang terbentuk pada pertemuan [[logam]]-[[semikonduktor]] yang mempunyai karakteristik [[penyearah]]an, cocok untuk penggunaan sebagai [[dioda]]. Perbedaan paling nyata antara penghalang Schottky dengan pertemuan p-n adalah tegangan pertemuannya yang biasanya lebih rendah dan pengurangan lebar pemiskinan pada logam.

Tidak semua pertemuan logam-semikonduktor membentuk penghalang Schottky. Semua pertemuan logam-semikonduktor yang tidak menyearahkan arus dinamakan sambungan ohmik. Karakteristik penyearahan bergantung pada fungsi kerja logam, renggang jalur pada semikonduktor intrinsik, jenis dan konsentrasi pengotor pada semikonduktor dan faktor-faktor lainnya. Desain dari peranti semikonduktor membutuhkan keakraban dengan efek Schottky untuk meyakinkan bahwa penghalang Schottky tidak terbentuk dengan tak disengaja ketika diinginkan sambungan ohmik.

Penghalang Schottky dengan tegangan pertemuannya yang lebih rendah sering digunakan saat diinginkan peranti yang membutuhkan dioda ideal. Ini juga digunakan pada dioda dan transistor biasa, dimana tegangan pertemuannya yang lebih rendah digunakan untuk perlindungan sirkuit.

Karena salah satu bahan dari dioda Schottky adalah logam, peranti dengan resistansi yang lebih rendah dapat diproduksi. Sebagai tambahan, kenyataan bahwa hanya satu tipe pengotoran sangat mempermudah pembuatan. Dan karena lebar pemiskina yang rendah, dioda Schottky dapat mencapai kecepatan pensakelaran yang jauh lebih tinggi daripada dioda pertemuan p-n, membuatnya lebih diutamakan untuk menyearahkan isyarat frekuensi tinggi.

Walaupun demikian, pada kenyataannya peranti Schottky hanya sedikit digunakan dibandingkan teknologi semikonduktor lainnya.

Sebuah peranti yang menggunakan pertemuan menyearahkan logam-semikonduktor itu sendiri dinamakan sebagai [[dioda Schottky]].

Sebuah transistor pertemuan dwikutub dengan penghalang Schottky diantara basis dan kolektor disebut dengan [[transistor Schottky]]. Karena tegangan pertemuan penghalang Schottky sangat rendah, transistor dicegah untuk jenuh terlalu dalam, sehingga memperbaiki kecepatan transistor jika digunakan sebagai sakelar. Ini adalah dasar dari TTL Schottky.

Penghalang Schottky dengan bahan dari karbon nanotube dengan menggunakan kontak nonideal antara permukaan logam dan ''carbon nanotube'' (CNT) untuk membentuk sebuah sawar Schottky yang dapat digunakan untuk membuat dioda Schottky atau transistor, dan lain sebagainya. Karbon nanotube atau CNT dapat menjadi alternatif yang praktis untuk membuat perangkat karena ukurannya yang kecil, sifat mekanik yang unik dan kemampuan elektronik.

 

* [[Sambungan ohmik]]

* [[Dioda Schottky]]

* [[Dioda]]

* [[Memristor]]

 

#Streetman, B.G., “Solid State Electronic Devices”, Prentice Hall, USA, 1995.

#Tuck, B. and Christopoulos, C., "Physical Electronics", Edward Arnold, 1986.

#Ralph J. Smith, Elektronik: Litar dan Peranti, penterjemah: Abd Rahman Ramli, Rahman Wagiran, Shahbudin Shaari, DBP, 1995.

*(en) [http://academic.brooklyn.cuny.edu/physics/tung/Schottky/index.htm Pelatihan online tentang penghalang Schottky]