Transistor efek–medan: Perbedaan antara revisi

Konten dihapus Konten ditambahkan
Borgxbot (bicara | kontrib)
k Robot: Cosmetic changes
Baris 1:
{{Infobox komponen elektronik
|nama_komponen=Transistor efek medan
|foto=[[ImageBerkas:P45N02LD.jpg|225px]]
|judul_foto=FET kanal-N daya tinggi
|tipe=[[komponen semikonduktor]]
Baris 15:
==Saluran==
Semua FET mempunyai sebuah saluran gerbang (gate), cerat (drain) dan sumber (source) yang kira-kira sama dengan basis, kolektor dan emitor pada BJT. Selain [[JFET]], semua FET juga mempunyai saluran keempat yang dinamakan badan, dasar atau substrat. Saluran keempat ini melayani kegunaan teknis dalam [[pemanjaran transistor]] kedalam titik operasi. Terminal ini sangat jarang digunakan pada desain sirkuit, tetapi keberadaannya penting saat merancang penataan [[sirkuit terpadu]].
[[ImageBerkas:Lateral_mosfet.svg|thumbnail|Irisan MOSFET tipe-n]]
Nama-nama saluran pada FET mengacu pada fungsinya. Saluran gerbang dapat dianggap sebagai pengontrol buka-tutup dari gerbang sesungguhnya. Gerbang ini mengizinkan [[elektron]] untuk mengalir atau mencegahnya dengan membuat dan mengikangkan sebuah kanal diantara sumber dan cerat. Elektron mengalir dari sumber menuju ke saluran cerat jika ada tegangan yang diberikan. Badan merupakan seluruh semikonduktor dasar dimana gerbang, sumber dan cerat diletakkan. Biasanya saluran badan disambungkan ke tegangan tertinggi atau terendah pada sirkuit, tergantung pada tipenya. Saluran badan dan saluran sumber biasanya disambungkan karena sumber biasanya disambungkan ke tegangan tertinggi atau terendah dari sirkuit, tetapi ada beberapa penggunaan dari FET yang tidak seperti demikian, seperti sirkuit [[gerbang transmisi]] dan [[kaskoda]].
==Komposisi==
Baris 57:
*[http://www.freescale.com/files/rf_if/doc/app_note/AN211A.pdf Field Effect Transistors in Theory and Practice]
{{Transistor}}
 
[[Kategori:Tipe transistor|Efek-medan]]