Fotolitografi: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k Bot: Penggantian teks otomatis (- tapi + tetapi) |
|||
Baris 1:
'''Fotolitografi''' adalah sebuah proses digunakan dalam fabrikasi alat [[semikonduktor]] untuk memindahkan pola dari sebuah ''[[mask|photomask]]'' ke permukaan sebuah [[substrat]]. Seringkali kristalin [[silikon]] dalam bentuk sebuah [[wafer]] digunakan sebagai substrat, meskipun ada beberapa pilihan termasuk,
Resolusi dari fotolitografi ditentukan oleh panjang gelombang sumber cahaya yang digunakan oleh proses ini. Saat ini, sumber cahaya yang paling bagus adalah [[sinar-X]] karena mempunyai panjang gelombang yang sangat pendek. Sumber cahaya untuk proses fotolitografi antara lain: [[ultra violet]], pancaran elektron, [[laser]], dan pancaran ion.
Baris 10:
Sebelum penyinaran, ''wafer'' diberi lapisan ''photoresist'' yang akan bereaksi jika dikenai cahaya tergantung dari jenis ''photoresist''-nya (positif atau negatif). Setelah dikenai cahaya, ''photoresist'' tersebut di larutkan pada cairan tertentu. Bagian yang terkena cahaya pada ''photoresist'' positif akan larut dan sebaliknya pada ''photoresist'' negatif, bagian yang terkena cahaya tidak akan larut.
Pada umumnya, permukaan ''wafer'' yang akan dilapisi ''photoresist'' mudah teroksidasi dan akan membentuk [[ikatan hidrogen]] yang panjang yang di dapat dari [[air]] di [[udara]]. Dengan demikian, jika ''photoresist'' diletakkan di atas ''wafer'' yang berputar, tidak akan menempel dengan permukaan ''wafer''
Kecepatan perputaran ''wafer'', waktu, jumlah, dan cara menyemprotkan ''photoresist'' ke permukaan wafer sangat menentukan kualitas dan ketebalan dari ''photoresist'' dipermukaan ''wafer''. Ketebalan ''photoresist'' diusahakan merata antara bagian tengah dan tepi dari ''wafer''. Pemutaran ''wafer'' dan penyemprotan ''photoresist'' secara otomatis akan meningkatkan kualitas dari penyebaran ''photoresist''.
| |||