Log publik utama
Gabungan tampilan semua log yang tersedia di Wikipedia. Anda dapat melakukan pembatasan tampilan dengan memilih jenis log, nama pengguna (sensitif terhadap kapitalisasi), atau judul halaman (juga sensitif terhadap kapitalisasi).
- 4 Juni 2024 14.19 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Daftar bahan semikonduktor (←Membuat halaman berisi ''''Bahan semikonduktor''' secara nominal merupakan isolator celah pita kecil. Sifat yang menentukan dari bahan semikonduktor adalah bahwa bahan tersebut dapat dikompromikan dengan menambahkan pengotor yang mengubah sifat elektroniknya dengan cara yang dapat dikontrol. Karena penerapannya dalam industri komputer dan fotovoltaik —dalam perangkat seperti transistor, laser, dan sel surya —pencarian material sem...')
- 28 Mei 2024 08.24 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kategori:Transistor efek–medan (←Membuat halaman berisi 'Kategori:Transistor Kategori:Jenis transistor Kategori:Jenis transistor')
- 28 Mei 2024 07.24 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman MOSFET daya (←Membuat halaman berisi ''''MOSFET daya''' adalah jenis transistor efek medan logam-oksida-semikonduktor (MOSFET) khusus yang dirancang untuk menangani tingkat daya yang signifikan. Dibandingkan dengan perangkat semikonduktor daya lainnya, seperti transistor bipolar gerbang terisolasi (IGBT) atau thyristor, keunggulan utamanya adalah kecepatan peralihan yang tinggi dan efisiensi yang baik pada tegangan rendah. Ia berbagi dengan IGBT sebuah gerbang terisolasi yang membuatnya mudah dik...')
- 28 Mei 2024 07.17 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Perangkat semikonduktor daya (←Membuat halaman berisi ''''Perangkat semikonduktor daya''' adalah perangkat semikonduktor yang digunakan sebagai sakelar atau penyearah dalam elektronika daya (misalnya pada catu daya mode sakelar). Perangkat semacam itu juga disebut perangkat daya atau, bila digunakan dalam sirkuit terpadu, IC daya. Perangkat semikonduktor daya biasanya digunakan dalam "mode pergantian" (yaitu aktif atau nonaktif), dan oleh karena itu memiliki desain yang dioptimalkan untuk penggun...')
- 28 Mei 2024 07.01 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kategori:Elektronika daya (←Membuat halaman berisi 'Kategori:Industri elektronika Kategori:Elektronika Kategori:Teknik elektronika')
- 27 Mei 2024 17.09 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kategori:Struktur semikonduktor (←Membuat halaman berisi 'Kategori:Semikonduktor')
- 27 Mei 2024 17.09 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kategori:Bahan fabrikasi semikonduktor (←Membuat halaman berisi 'Kategori:Fabrikasi alat semikonduktor')
- 27 Mei 2024 17.04 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Gerbang oksida (←Membuat halaman berisi ''''Gerbang oksida''' adalah lapisan dielektrik yang memisahkan terminal gerbang gate MOSFET (transistor efek medan logam-oksida-semikonduktor) dari terminal sumber source dan saluran drain pembuangan serta saluran konduktif yang menghubungkan sumber dan saluran pembuangan ketika transistor dihidupkan. Gerbang oksida dibentuk oleh oksidasi termal silikon saluran untuk membentuk lapisan isolasi silikon dioksida yang tipis (5 - 200 nm). Lapis...') Tag: pranala ke halaman disambiguasi
- 26 Mei 2024 09.31 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Tegangan ambang (←Membuat halaman berisi ''''Tegangan ambang''' , biasa disingkat V<sub>th</sub> atau V<sub>GS(th)</sub>, dari transistor efek medan (FET) adalah tegangan gerbang-ke-sumber minimum (V<sub>GS</sub>) yang diperlukan untuk membuat jalur konduksi antara sumber dan terminal pembuangan. Ini merupakan faktor penskalaan yang penting untuk menjaga efisiensi daya. Ketika mengacu pada transistor efek medan persimpangan (JFET), tegangan ambang sering disebut tegangan pinch-off. Hal ini agak...')
- 25 Mei 2024 08.48 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kategori:Penguat transistor (←Membuat halaman berisi 'Kategori:Perangkat semikonduktor Kategori:Sakelar')
- 25 Mei 2024 08.48 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kategori:Saklar solid state (←Membuat halaman berisi 'Kategori:Transistor Kategori:Penguat elektronik')
- 25 Mei 2024 08.41 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kategori:Reka cipta berdasarkan abad (←Membuat halaman berisi 'Kategori:Reka cipta')
- 25 Mei 2024 08.41 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kategori:Penemuan abad ke-20 (←Membuat halaman berisi 'Kategori:Reka cipta berdasarkan abad')
- 25 Mei 2024 08.35 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kategori:Perkenalan tahun 1960 (←Membuat halaman berisi 'Kategori:Perkenalan menurut tahun')
- 25 Mei 2024 08.33 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kategori:Penemuan Arab (←Membuat halaman berisi 'Kategori:Reka cipta menurut negara')
- 25 Mei 2024 08.33 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kategori:Penemuan Korea Selatan (←Membuat halaman berisi 'Kategori:Reka cipta menurut negara')
- 25 Mei 2024 08.27 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Daftar aplikasi MOSFET (←Membuat halaman berisi ''''MOSFET''' (transistor efek medan logam-oksida-semikonduktor) adalah jenis transistor efek medan gerbang terisolasi (IGFET) yang dibuat dengan oksidasi terkontrol dari semikonduktor, biasanya silikon. Tegangan gerbang tertutup menentukan konduktivitas listrik perangkat; kemampuan untuk mengubah konduktivitas dengan jumlah tegangan yang diberikan dapat digunakan untuk memperkuat atau mengalihkan sinyal elektronik. MOSFET adalah bahan penyusun dasar seba...')
- 21 Mei 2024 14.10 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Interkoneksi (sirkuit terpadu) (←Membuat halaman berisi 'Dalam sirkuit terpadu (IC), '''interkoneksi''' adalah struktur yang menghubungkan dua atau lebih elemen rangkaian (seperti transistor) secara elektrik. Desain dan tata letak interkoneksi pada IC sangat penting untuk fungsi, kinerja, efisiensi daya, keandalan, dan hasil fabrikasi yang tepat. Interkoneksi material yang dibuat bergantung pada banyak faktor. Kompatibilitas kimia dan mekanik dengan substrat [...')
- 20 Mei 2024 12.36 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Effendi Leobandung (←Membuat halaman berisi ''''Effendi Leobandung''' adalah seorang insinyur kelistrikan Indonesia, Amerika dan anggota Institut Insinyur Listrik dan Elektronika. Effendi lahir pada tanggal 26 Desember 1970 di Medan, Sumatera, Indonesia. Putra Leo dan Misna Bandung. Effendi Leobandung, seorang penemu produktif yang tinggal di Stormville, NY, telah menorehkan prestasi di bidang inovasi dan paten. Salah satu paten terbaru Leobandung bertajuk “Usage Metering...')
- 20 Mei 2024 09.29 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kategori:Transistor bipolar (←Membuat halaman berisi 'Kategori:Jenis transistor Kategori:Transistor')
- 20 Mei 2024 09.22 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Transistor kontak titik (←Membuat halaman berisi ''''Transistor kontak titik''' adalah jenis transistor pertama yang berhasil didemonstrasikan. Ini dikembangkan oleh ilmuwan penelitian John Bardeen dan Walter Brattain di Bell Laboratories pada bulan Desember 1947. Mereka bekerja dalam kelompok yang dipimpin oleh fisikawan William Shockley. Kelompok ini telah bekerja sama dalam eksperimen dan teori efek medan listrik pada material padat, dengan tujuan mengganti tabung vakum dengan perangka...')
- 20 Mei 2024 05.43 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kristal tunggal (←Membuat halaman berisi 'Dalam ilmu material, '''kristal tunggal''' (atau '''padatan kristal tunggal''' atau '''padatan monokristalin''' berelasi dengan silikon monokristalin) adalah bahan yang kisi kristal seluruh sampelnya kontinu dan tidak terputus hingga ke tepi sampel, tanpa batas butir. Tidak adanya cacat yang terkait dengan batas butir dapat memberikan sifat unik pada monokristal, terutama mekanik, optik, dan listrik, yang juga...')
- 19 Mei 2024 05.46 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Fabrikasi alat semikonduktor (←Mengalihkan ke Fabrikasi semikonduktor) Tag: Pengalihan baru
- 19 Mei 2024 05.45 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Back end of line (BEOL) (←Membuat halaman berisi ''''Back end of line''' atau '''back end of line''' ( '''BEOL''' ) adalah suatu proses fabrikasi perangkat semikonduktor yang terdiri dari pengendapan lapisan interkoneksi logam ke dalam wafer yang sudah berpola perangkat. Ini adalah bagian kedua dari fabrikasi IC, setelah front end of line (FEOL). Di BEOL, masing-masing perangkat (transistor, kapasitor, resistor, dll.) dihubungkan satu sama lain sesuai dengan cara pemasangan...') Tag: kemungkinan perlu dirapikan
- 19 Mei 2024 05.42 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Front end of line (FEOL) (←Membuat halaman berisi ''''front end of line''' ('''FEOL''') adalah bagian pertama dari fabrikasi IC di mana masing-masing komponen (transistor, kapasitor, resistor, dll) dipola dalam substrat semikonduktor. FEOL umumnya mencakup semuanya hingga (tetapi tidak termasuk) pengendapan lapisan interkoneksi logam.<ref> {{cite book | title = Handbook of Silicon Wafer Cleaning Technology | edition = 2nd | author = Karen A. Reinhardt and Werner Kern | publisher =...')
- 12 Mei 2024 18.41 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Pakan fosfat (←Membuat halaman berisi ''''Pakan fosfat''' anorganik atau '''Inorganic feed phosphates''' ('''IFP''') adalah garam anorganik dari asam fosfat . Penggunaan fosfat pakan anorganik diperlukan untuk memenuhi kebutuhan fosfor untuk produksi hewan : untuk menjamin pertumbuhan, kesuburan dan perkembangan tulang yang optimal.<ref>{{Cite journal |last1=Grimbergen |first1=A. H. M. |last2=Cornelissen |first2=J. P. |last3=Stappers |first3=H. P. |dat...') Tag: kemungkinan perlu dirapikan
- 10 Mei 2024 10.22 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Sirkuit terpadu small outline (←Membuat halaman berisi ''''Sirkuit terpadu small outline''' atau '''small outline integrated circuit''' ('''SOIC''') adalah kemasan sirkuit terintegrasi (IC) yang dipasang di permukaan yang menempati area sekitar 30–50% lebih kecil dari paket dual in-line (DIP) yang setara, dengan ketebalan tipikal 70% lebih sedikit. Mereka umumnya tersedia dalam pin-out yang sama dengan IC DIP mitranya. Konvensi penamaan paket adalah SOIC atau SO diikuti dengan jum...')
- 9 Mei 2024 16.30 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kemasan datar segi empat (←Membuat halaman berisi ''''Kemasan datar segi empat''' atau '''quad flat package''' ('''QFP''') adalah kemasan sirkuit terpadu yang dipasang di permukaan dengan kaki pin kabel "sayap camar" yang memanjang dari keempat sisinya. Pemasangan soket pada paket semacam itu jarang terjadi dan pemasangan melalui lubang tidak dapat dilakukan. Versi yang berkisar antara 32 hingga 304 pin dengan pitch berkisar antara 0,4 hingga 1,0 mm adalah hal yang umum. Varian khusus lainnya termasuk low...')
- 9 Mei 2024 16.10 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Pin kisi susun (←Membuat halaman berisi ''''Pin grid array''' ('''PGA''') atau '''Pin kisi susun''' adalah jenis kemasan sirkuit terpadu teknologi lubang tembus (elektronik) dengan bentuk kotak bujur sangkar atau persegi panjang, dan pin-pinnya disusun dalam susunan teratur di bagian bawah paket. Pin biasanya diberi jarak 2,54 mm (0,1"), dan mungkin menutupi seluruh bagian bawah kemasan atau tidak.<ref name="Nath2017">{{cite book|author=Vijay Nath|title=Proceeding...')
- 9 Mei 2024 10.43 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kemasan garis ganda (←Membuat halaman berisi 'Dalam mikroelektronika, '''kemasan garis ganda''' atau '''kemasan in-line ganda''' ( '''DIP''' atau '''DIL''' ) adalah kemasan komponen elektronik dengan rumah persegi panjang dan dua baris pin penghubung listrik paralel. Paket tersebut dapat dipasang melalui lubang ke papan sirkuit tercetak (PCB) atau dimasukkan ke dalam soket. Format dual-inline ditemukan oleh Don Forbes, Rex Rice dan Bryant Rogers di Fairchild R&D pada tahun 1964, ketika terbatasny...') Tag: pranala ke halaman disambiguasi
- 9 Mei 2024 08.01 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kategori:Kemasan elektronik (←Membuat halaman berisi 'Kategori:Desain industri Kategori:Pengemasan Kategori:Kemasan (fabrikasi mikro) Kategori:Pembawa chip')
- 9 Mei 2024 07.57 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kategori:Pembuatan papan sirkuit cetak (←Membuat halaman berisi 'Kategori:Substrat elektronik Kategori:Teknik elektro Kategori:Manufaktur elektronik Kategori:Teknik elektronika')
- 9 Mei 2024 07.49 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Pembawa chip (←Mengalihkan ke Landasan chip) Tag: Pengalihan baru
- 9 Mei 2024 07.48 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Soket CPU (←Membuat halaman berisi 'Dalam perangkat keras komputer, '''soket CPU''' atau '''slot CPU''' berisi satu atau lebih komponen mekanis yang menyediakan sambungan mekanis dan listrik antara mikroprosesor dan papan sirkuit tercetak (PCB). Hal ini memungkinkan penempatan dan penggantian unit pemrosesan pusat (CPU) tanpa menyolder. Soket CPU terbuat dari plastik, dan sering kali dilengkapi dengan tuas atau kait, dan dengan kontak logam untuk setiap pin atau dudukan pada CPU....')
- 9 Mei 2024 07.35 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Landasan chip (←Membuat halaman berisi 'Dalam elektronika, '''landasan chip''' atau '''pembawa chip''' adalah salah satu dari beberapa jenis paket teknologi pemasangan permukaan (elektronik) untuk sirkuit terpadu (biasa disebut "chip"). Sambungan dibuat pada keempat tepi paket persegi; dibandingkan dengan rongga internal untuk memasang sirkuit terpadu, ukuran keseluruhan paketnya besar.<ref name=interfacebusSOIC>{{cite web|url=http://www.interfacebus.com/Design_Pack_Type_SOIC.html |title=Integ...')
- 9 Mei 2024 05.33 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kategori:Kemasan (fabrikasi mikro) (←Membuat halaman berisi 'Kategori:Pengemasan Kategori:Mikroteknologi Kategori:Fabrikasi alat semikonduktor')
- 9 Mei 2024 05.32 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kategori:Kemasan semikonduktor (←Membuat halaman berisi 'Kategori:Semikonduktor Kategori:Kemasan (fabrikasi mikro)')
- 9 Mei 2024 05.28 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Kemasan semikonduktor (←Membuat halaman berisi ''''Kemasan semikonduktor''' adalah casing wadah logam, plastik, kaca, atau keramik yang berisi satu atau lebih perangkat semikonduktor terpisah atau sirkuit terpadu. Masing-masing komponen dibuat pada wafer semikonduktor (umumnya chip dari berbagai proses fabrikasi silikon) sebelum dipotong dadu, diuji, dan dikemas. Kemasan ini menyediakan sarana untuk menghubungkannya ke lingk...')
- 8 Mei 2024 18.00 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Proses 10 nm (←Membuat halaman berisi 'Dalam fabrikasi semikonduktor, International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) mendefinisikan " '''proses 10 nanometer''' " sebagai simpul teknologi MOSFET yang mengikuti simpul "14 nm". Setidaknya sejak tahun 1997, "node proses" diberi nama semata-mata atas dasar pemasaran, dan tidak ada hubungannya dengan dimensi pada sirkuit terpadu; baik panjang gerbang, jarak logam, atau jarak gerbang pada perangkat "10nm" adalah sepuluh nanometer. Misaln...')
- 8 Mei 2024 17.29 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Proses 22 nm (←Membuat halaman berisi 'Node "2'''2 nm'''" adalah langkah proses setelah 32 nm dalam fabrikasi perangkat semikonduktor CMOS MOSFET. Half-pitch yang khas (yaitu, setengah jarak antara fitur identik dalam array) untuk sel memori yang menggunakan proses ini adalah sekitar 22 nm. Ini pertama kali didemonstrasikan oleh perusahaan semikonduktor untuk digunakan dalam memori RAM pada tahun 2008. Pada tahun 2010, Toshiba mulai mengirimkan chip memori...')
- 8 Mei 2024 17.07 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Semiconductor Equipment and Materials International (←Mengalihkan ke SEMI) Tag: Pengalihan baru
- 8 Mei 2024 08.40 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman SEMI (←Membuat halaman berisi ''''Semiconductor Equipment and Materials International''' ('''SEMI''') adalah asosiasi industri yang terdiri dari perusahaan-perusahaan yang terlibat dalam desain elektronik dan rantai pasokan manufaktur. Mereka menyediakan peralatan, bahan dan layanan untuk pembuatan semikonduktor , panel fotovoltaik , layar LED dan panel datar, sistem mikro-elektromekanis (MEMS), elektronik cetak dan fleksibel, serta teknologi mikro dan nano terkait....')
- 8 Mei 2024 08.26 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman International Technology Roadmap for Semiconductors (←Membuat halaman berisi ''''International Technology Roadmap for Semiconductors''' (ITRS) adalah seperangkat dokumen yang dikoordinasikan dan diselenggarakan oleh Semiconductor Research Corporation dan dihasilkan oleh sekelompok ahli di industri semikonduktor. Para ahli ini merupakan perwakilan dari organisasi sponsor, termasuk Asosiasi Industri Semikonduktor Taiwan, Korea Selatan, Amerika Serikat, Eropa, Jepang, dan Tiongkok. Mulai tahun 2017, ITRS tidak lagi diperbarui...')
- 8 Mei 2024 08.10 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Proses 14 nm (←Membuat halaman berisi '" '''Proses 14 nanometer'''" mengacu pada istilah pemasaran untuk node teknologi MOSFET yang merupakan penerus node "22 nm" (atau "20 nm"). "14 nm" dinamakan demikian oleh International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). Hingga sekitar tahun 2011, simpul yang mengikuti "22 nm" diharapkan menjadi "16 nm". Semua node "14 nm" menggunakan teknologi FinFET (fin field-effect transistor), sejenis teknologi MOSFET multi-gerbang yang merupak...')
- 7 Mei 2024 12.36 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Proses Pidgeon (←Membuat halaman berisi ''''Proses Pidgeon''' adalah metode praktis untuk peleburan magnesium. Metode yang paling umum melibatkan bahan mentah, dolomit dimasukkan ke dalam tangki reduksi yang dipanaskan secara eksternal dan kemudian direduksi secara termal menjadi logam magnesium menggunakan ferrosilikon 75% sebagai zat pereduksi dalam ruang hampa. Secara keseluruhan proses peleburan magnesium melalui proses Pidgeon melibatkan kalsinasi dolomit, penggi...')
- 7 Mei 2024 08.55 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Proses sementasi (←Membuat halaman berisi ''''Proses sementasi''' merupakan teknologi pembuatan baja yang sudah ketinggalan zaman dengan cara karburisasi besi. Berbeda dengan pembuatan baja modern, hal ini meningkatkan jumlah karbon dalam besi. Tampaknya dikembangkan sebelum abad ke-17. Tungku Baja Derwentcote, dibangun pada tahun 1720, adalah contoh tungku sementasi paling awal yang masih ada. Contoh lain di Inggris adalah tungku sementasi di Doncaster Street, Sheffield. == Lihat pul...')
- 7 Mei 2024 08.42 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Proses Gilchrist–Thomas (←Membuat halaman berisi ''''Proses Gilchrist – Thomas''' atau '''proses Thomas''' adalah proses historis untuk pemurnian besi kasar, yang berasal dari konverter Bessemer. Namanya diambil dari penemunya yang mematenkannya pada tahun 1877: Percy Carlyle Gilchrist dan sepupunya Sidney Gilchrist Thomas. Dengan mengizinkan eksploitasi bijih besi fosfor, yang paling melimpah, proses ini memungkinkan perluasan industri baja secara pesat di luar Inggris dan Amerika Serikat....')
- 6 Mei 2024 15.56 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Proses Bower–Barff (←Membuat halaman berisi 'Dalam metalurgi, '''proses Bower–Barff''' adalah metode pelapisan besi atau baja dengan oksida besi magnetis, seperti Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>, untuk meminimalkan korosi di atmosfer. Barang-barang yang akan diolah dimasukkan ke dalam retort tertutup dan aliran uap super panas dialirkan selama dua puluh menit diikuti dengan aliran gas produser (karbon monoksida), untuk mengurangi oksida yang lebih tinggi yang mungkin terbentuk. ==...')
- 6 Mei 2024 12.41 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Proses Ames (←Membuat halaman berisi ''''Proses Ames''' adalah suatu proses dimana logam uranium murni diperoleh. Hal ini dapat dicapai dengan mencampurkan uranium halida (umumnya uranium tetrafluorida) dengan bubuk logam magnesium atau bubuk logam aluminium.<ref>{{Cite web |title=Ames Laboratory and Uranium Production in World War II |url=https://www.acs.org/education/whatischemistry/landmarks/ames-uranium-production.html |access-date=2023-02-08 |website=American Chemical Society |la...')
- 6 Mei 2024 12.13 Hartanto Wibowo bicara kontrib membuat halaman Proses Albion (←Membuat halaman berisi ''''Proses Albion''' adalah proses metalurgi ekstraktif, hidrometalurgi, pelindian atmosferik untuk pengolahan konsentrat seng, tembaga tahan api dan emas tahan api. Proses ini penting karena merupakan metode paling hemat biaya yang saat ini digunakan untuk mengekstraksi seng dan timbal dari konsentrat yang mengandung kadar timbal tinggi (7% atau lebih). Seng dan timbal sering terjadi bersamaan...')